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讨论：电路设计中的过驱动电压Vod的选择
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Young_W
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1#
发表于 2009-8-23 22:12:04
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在模拟电路中常常需要设定过驱动电压Vod=Vgs-Vth，一些书中写选择大于200mV，不知在实际设计中应该选择多少？
个人觉得对于不同工艺Vod应该是不同的，在0.18um下大家都选择多少？选择的依据是什么？
设计
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2#
发表于 2009-8-23 22:45:51
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输入管70~100mV左右，电流镜管200~300mV左右。
高了功耗大
低了就亚阈值区了，速度慢，bsim模型也不准。不过PSP模型可以。
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3#
楼主|
发表于 2009-8-23 23:08:29
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输入管设置在70~100mV之间，MOSFET可能处于弱反型，跨导也会降低，是否能说明下选择的依据？
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confiope
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4#
发表于 2009-8-24 09:20:33
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原帖由 Young_W 于 2009-8-23 23:08 发表
登录/注册后可看大图
输入管设置在70~100mV之间，MOSFET可能处于弱反型，跨导也会降低，是否能说明下选择的依据？
-------------------------------------
电流镜200~300mV，主要是考虑电流匹配，所以过驱动电压大
输入管低，主要是考虑电压匹配
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5#
楼主|
发表于 2009-8-24 21:44:10
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原帖由 confiope 于 2009-8-24 09:20 发表
登录/注册后可看大图 ------------------------------------- 电流镜200~300mV，主要是考虑电流匹配，所以过驱动电压大 输入管低，主要是考虑电压匹配
从匹配的角度来考虑是这样的，但在Baker的书中提到Vod选择Vdd的5％左右，在sansen书中从增益和和速度的角度考虑，在增益级选取150~200mV!感觉有点乱，没有找到一个统一的说法。不知大家在实际设计中都是怎么考虑的？
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joh27
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6#
发表于 2009-8-25 20:39:31
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vdslafe
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7#
发表于 2009-8-25 22:00:19
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原帖由 Young_W 于 2009-8-24 21:44 发表
登录/注册后可看大图 从匹配的角度来考虑是这样的，但在Baker的书中提到Vod选择Vdd的5％左右，在sansen书中从增益和和速度的角度考虑，在增益级选取150~200mV!感觉有点乱，没有找到一个统一的说法。不知大家在实际设计中都是怎么考虑的 ...
根据工艺和电源电压，具体问题具体分析，baker的书基本上是3.3V/5V时代的，5%vdd 肯定不适用于1V amp 设计
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8#
楼主|
发表于 2009-8-25 22:45:37
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原帖由 vdslafe 于 2009-8-25 22:00 发表
登录/注册后可看大图 根据工艺和电源电压，具体问题具体分析，baker的书基本上是3.3V/5V时代的，5%vdd 肯定不适用于1V amp 设计
在第二版中有短沟道（50nm）的设计，电源电压就是1V，也是采用这个原则
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vdslafe
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9#
发表于 2009-8-25 22:56:51
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原帖由 Young_W 于 2009-8-25 22:45 发表
登录/注册后可看大图 在第二版中有短沟道（50nm）的设计，电源电压就是1V，也是采用这个原则
50mV Vod, 管子就是在subthreshold, 低速还好，高速的话，管子的带宽太低了。
很怀疑他重写了这部分
不过我也没看过他的第二版
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Young_W
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楼主|
发表于 2009-8-27 21:20:41
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期待大家讨论！！！！！
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